上海電力大學2023碩士研究生考研復試大綱已經(jīng)出爐了！其中F046集成電路設計基礎的考試大綱具體內容如下，考試范圍分為十大部分，報考上海電力大學相關專業(yè)的同學們趕緊看過來吧。
2023上海電力大學F046集成電路設計基礎考研復試范圍
　　Ⅰ主要復習內容
　　一、集成電路設計概論
　　集成電路發(fā)展歷程、分類、設計方法、主流制造技術、設計開發(fā)主流程、常用術語及概念。
　　二、MOS器件原理與特性
　　MOS場效應晶體管的工作原理、電特性、模型和基本模型參數(shù)、MOS器件技術的發(fā)展與挑戰(zhàn)。
　　三、CMOS邏輯部件
　　CMOS倒相器設計方法、常見CMOS邏輯門的原理與設計方法。
　　四、MOS集成電路制造工藝基礎
　　集成電路工藝環(huán)境、集成電路基本加工工藝、CMOS基本工藝流程。
　　五、集成電路設計與工藝接口及版圖設計基礎
　　設計與工藝接口問題及工藝對設計的制約、版圖設計中電學設計規(guī)則與幾何設計規(guī)則的基礎、工藝檢查與監(jiān)控。
　　六、晶體管規(guī)則陣列設計
　　全NMOS結構的ROM電路設計及版圖、MOS晶體管開關邏輯電路及應用、PLA電路設計及應用、門陣列電路和版圖設計。
　　七、單元庫設計技術
　　單元庫概念、常見標準單元設計（反相器、輸入、輸出單元）。
　　八、常用微處理器單元
　　常用微處理器單元的電路圖及工作原理。
　　九、集成電路測試技術與可測試性技術
　　集成電路故障模型、測試矢量生成、可測試性技術概念。
　　十、模擬單元與變換電路
　　模擬集成電路基本單元、基本偏置電路、放大電路。
　　Ⅱ復習的總體要求
　　本課程以硅集成電路為基礎，要求全面掌握有關集成電路設計的專業(yè)基礎知識，重點是集成電路設計概論、MOS器件原理與特性、CMOS邏輯部件、MOS集成電路制造工藝基礎、集成電路設計與工藝接口及版圖設計基礎、晶體管規(guī)則陣列設計、集成電路版圖設計、單元庫設計技術、常用微處理器單元、集成電路測試技術與可測試性技術、模擬單元與變換電路。
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　　1.李偉華，VLSI設計基礎（第三版），北京：電子工業(yè)出版社，2013.6。
　　2.郝躍，微電子概論（第2版），北京：電子工業(yè)出版社，2011.6。
　　以上內容來源：上海電力大學研究生院。
　　最后，關于2023上海電力大學F046集成電路設計基礎考研復試范圍的內容，小編就給大家簡單介紹到這里了。如果還有其他考研考試相關內容想要了解的，就請登錄高頓考研頻道看看吧。
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