一、考試要求
要求考生對(duì)半導(dǎo)體物理學(xué)的基本概念有深入的理解,系統(tǒng)掌握半導(dǎo)體物理學(xué)中基本定理和定律,并具有綜合運(yùn)用所學(xué)知識(shí)分析和解決問(wèn)題的能力。
二、考試內(nèi)容
1.晶體結(jié)構(gòu)(金剛石、閃鋅礦、纖鋅礦結(jié)構(gòu))和半導(dǎo)體的結(jié)合性質(zhì);
2.半導(dǎo)體中電子狀態(tài):Ge、Si、GaAs能帶結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)能級(jí);回旋共振;
3.半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷,雜質(zhì)的補(bǔ)償作用與應(yīng)用,深能級(jí)雜質(zhì)和淺能級(jí)雜質(zhì);
4.熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布:狀態(tài)密度,費(fèi)米能級(jí),本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度,簡(jiǎn)并半導(dǎo)體和重?fù)诫s效應(yīng);
5.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性:載流子的漂移運(yùn)動(dòng)、遷移率、散射的概念,半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度、雜質(zhì)濃度的變化,強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)、熱載流子,負(fù)阻效應(yīng);
6.非平衡載流子:非平衡載流子的注入與復(fù)合、壽命、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí),愛(ài)因斯坦關(guān)系等概念,復(fù)合理論,陷阱效應(yīng)和連續(xù)性方程;
7.p-n結(jié):平衡與非平衡p-n結(jié)特點(diǎn)及其能帶圖,p-n結(jié)理想和非理想I-V特性,p-n結(jié)電容與擊穿機(jī)制,p-n結(jié)隧道效應(yīng)。
三、考試形式
考試形式均為筆試、閉卷。
參考書(shū)目:《半導(dǎo)體物理學(xué)》(第七版)劉恩科,電子工業(yè)出版社
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