南京郵電大學半導體物理2023年碩士研究生入學考試自命題科目考試大綱已經(jīng)發(fā)布，各位同學注意及時關(guān)注相關(guān)信息。高頓考研為大家整理了南京郵電大學半導體物理2023年碩士研究生入學考試自命題科目考試大綱的詳細內(nèi)容，希望對大家有所幫助！
820--《半導體物理》考試大綱
一、基本要求
《半導體物理》碩士研究生入學考試內(nèi)容主要包括半導體物理的基本概念、基礎(chǔ)理論和基本計算；考試命題注重測試考生對相關(guān)的物理基本概念的理解、對基本問題的分析和應(yīng)用，強調(diào)物理概念的清晰和對半導體物理問題的綜合分析。
二、考試范圍
1、半導體中電子狀態(tài)
1.1半導體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
1.2半導體中的電子狀態(tài)和能帶
1.3半導體中電子的運動有效質(zhì)量
1.4本征半導體的導電機構(gòu)空穴
1.5回旋共振
1.6硅，鍺和砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)
2、半導體中雜質(zhì)和缺陷能級
2.1硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級
2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級
2.3缺陷、位錯能級
3、半導體中載流子的統(tǒng)計分布
3.1狀態(tài)密度
3.2費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
3.3本征半導體的載流子濃度
3.4雜質(zhì)半導體的載流子濃度
3.5一般情況下的載流子統(tǒng)計分布
3.6簡并半導體
4、半導體的導電性
4.1載流子的漂移運動遷移率
4.2載流子的散射
4.3遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.4電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.5玻耳茲曼方程電導率的統(tǒng)計理論
4.6強電場下的效應(yīng)熱載流子
5、非平衡載流子
5.1非平衡載流子的注入和復合
5.2非平衡載流子的壽命
5.3準費米能級
5.4復合理論
5.5陷阱效應(yīng)
5.6載流子的擴散運動
5.7載流子的漂移運動,愛因斯坦關(guān)系式
5.8連續(xù)性方程
6、p-n結(jié)
6.1 p-n結(jié)及其能帶圖
6.2 p-n結(jié)電流電壓特性
6.3 p-n結(jié)電容
6.4 p-n結(jié)擊穿
7、金屬和半導體接觸
7.1金屬半導體接觸及其能級圖
7.2肖特基勢壘二極管
8、半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)
8.1表面電場效應(yīng)
文章來源：南京郵電大學研究生官網(wǎng)
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