哈爾濱工業(yè)大學材料科學與工程學院半導體物理Ⅱ2023年考研復試大綱已經發(fā)布，包含了考試范圍、考試要求、考試形式、試卷結構等重要信息，對考生具有重大的參考意義。高頓考研為大家整理了哈爾濱工業(yè)大學材料科學與工程學院半導體物理Ⅱ2023年考研復試大綱的詳細內容，供大家參考！
報考0805材料科學與工程（學科方向：10光電信息科學與工程）
科目代碼：00300
科目名稱：半導體物理Ⅱ
一、考試要求
要求考生系統(tǒng)地掌握半導體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導體的物理性能。要求考生對半導體的晶體結構和能帶結構、載流子統(tǒng)計分布、載流子輸運過程、p-n結理論、金屬-半導體接觸理論、半導體光電效應等基本原理有很好的掌握，并能熟練運用分析半導體的光電特性。
二、考試內容
1、半導體晶體結構和能帶論及雜質半導體理論(30分)
1）半導體晶格結構及電子狀態(tài)和能帶
2）半導體中電子的運動
3）本征半導體的導電機構
4）硅和鍺及常用化合物半導體的能帶結構
5）硅和鍺晶體中的雜質能級
6)常用化合物半導體中的雜質能級
7)缺陷、位錯能級
2、載流子的統(tǒng)計分布與半導體的導電性（40分）
1）狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計分
2）本征與雜質半導體的載流子濃度
3）一般情況下載流子統(tǒng)計分布
4）簡并半導體
5）載流子的漂移運動與散射機構
6）遷移率、電阻率與雜質濃度和溫度的關系
7）多能谷散射、耿氏效應
3、非平衡載流子（30分）
1）非平衡載流子的注入、復合與壽命
2）準費米能級
3）復合理論、陷阱效應
4）載流子的擴散、電流密度方程
5）連續(xù)性方程
4、p-n結理論和金屬-半導體接觸理論（40分）
1）p-n結及其能帶
2）p-n結電流電壓特性
3）p-n結電容、p-n結隧道效應
4）金-半接觸、能帶及整流理論、歐姆接觸
5、半導體異質結構和半導體光電效應（60分）
1）半導體異質結及其能帶圖
2）半導體異質p-n結的電流電壓特性
3）半導體的光學性質（光吸收和光發(fā)射）
4）半導體的光電導效應
5）半導體的光生伏特效應
6）半導體發(fā)光二極管、光電二極管
三、參考書目
1）劉恩科，朱秉升，羅晉升編著，《半導體物理學》，電子工業(yè)出版社，2011.3
2）[美]施敏（S.M.Sze），《半導體器件物理》，電子工業(yè)出版社，1987.12
文章來源：哈爾濱工業(yè)大學研究生院官網(wǎng)