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2024計(jì)算機(jī)考研專業(yè)課高頻考點(diǎn):刷新
  一、含義
  刷新是對(duì)DRAM定期進(jìn)行的全部重寫過程。
  二、原因
  因電容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰減需要及時(shí)補(bǔ)充,因此安排了定期刷新操作。
  三、常用的刷新方法
  1.集中式
  在規(guī)定的一個(gè)刷新周期內(nèi),對(duì)全部存儲(chǔ)單元集中一段時(shí)間逐行進(jìn)行刷新,此刻必須停止讀/寫操作,稱“死時(shí)間”或“死區(qū)”。(全部一起刷)
  2.分散式
  對(duì)每行存儲(chǔ)單元的刷新分到每個(gè)存取周期內(nèi)完成。優(yōu)點(diǎn):沒有死區(qū)。缺點(diǎn):存取周期加長(zhǎng),整個(gè)系統(tǒng)速度降低。(一個(gè)個(gè)刷)
  3.異步式
  是前兩種方式的結(jié)合,既縮短“死時(shí)間”,又充分利用最大刷新時(shí)間間隔為2ms的特點(diǎn)。(一行行刷)
  四、刷新與再生的比較
  1.共同點(diǎn):
 ?。?)動(dòng)作機(jī)制一樣。都是利用DRAM存儲(chǔ)元破壞性讀操作時(shí)的重寫過程實(shí)現(xiàn);
  (2)操作性質(zhì)一樣。都是屬于重寫操作。
  2.區(qū)別:
  (1)解決的問題不一樣。再生主要解決DRAM存儲(chǔ)元破壞性讀出時(shí)的信息重寫問題;刷新主要解決長(zhǎng)時(shí)間不訪存時(shí)的信息衰減問題。
 ?。?)操作的時(shí)間不一樣。再生緊跟在讀操作之后,時(shí)間上是隨機(jī)進(jìn)行的;刷新以最大間隔時(shí)間為周期定時(shí)重復(fù)進(jìn)行。
 ?。?)動(dòng)作單位不一樣。再生以存儲(chǔ)單元為單位,每次僅重寫剛被讀出的一個(gè)字的所有位;刷新以行為單位,每次重寫整個(gè)存儲(chǔ)器所有芯片內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的同一行。
 ?。?)芯片內(nèi)部I/O操作不一樣。讀出再生時(shí)芯片數(shù)據(jù)引腳上有讀出數(shù)據(jù)輸出;刷新時(shí)由于CAS信號(hào)無效,芯片數(shù)據(jù)引腳上無讀出數(shù)據(jù)輸出(唯RAS有效刷新,內(nèi)部讀)。鑒于上述區(qū)別,為避免兩種操作混淆,分別叫做再生和刷新。
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